IT之家8月7日消息《彭博法律》和路透社報(bào)道，哈佛大學(xué)周一向德克薩斯州東區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院指控三星電子侵犯微處理器和內(nèi)存制造領(lǐng)域的兩項(xiàng)專(zhuān)利。

IT House從起訴書(shū)中稱(chēng)，哈佛大學(xué)化學(xué)系教授Roy G. Gordon是這兩項(xiàng)專(zhuān)利的發(fā)明人，哈佛大學(xué)是這些專(zhuān)利的受讓人，哈佛大學(xué)對(duì)相應(yīng)專(zhuān)利擁有完全權(quán)利。我有。

與三星美國(guó)辦公設(shè)施相關(guān)的兩項(xiàng)專(zhuān)利分別涉及沉積含鈷和鎢的薄膜的方法：“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”和“氮化鎢的氣相沉積”。標(biāo)題為。哈佛大學(xué)表示，“此類(lèi)薄膜對(duì)于許多產(chǎn)品的關(guān)鍵部件至關(guān)重要，包括計(jì)算機(jī)和手機(jī)”。

哈佛大學(xué)認(rèn)為，三星電子在代工制造高通驍龍8代1處理器和三星S22智能手機(jī)等產(chǎn)品所涉及的其他產(chǎn)品時(shí)，侵犯了哈佛大學(xué)關(guān)于氮化鈷薄膜制造的專(zhuān)利。

當(dāng)三星制造LPDDR5X 和其他存儲(chǔ)器時(shí)，三星的Galaxy Z Flip5 可折疊手機(jī)使用了哈佛大學(xué)鎢層沉積專(zhuān)利相關(guān)LPDDR5X 存儲(chǔ)器產(chǎn)品的至少一項(xiàng)權(quán)利要求的所有元素。

在起訴書(shū)中，哈佛大學(xué)要求三星電子停止侵權(quán)活動(dòng)并支付未具體說(shuō)明的金錢(qián)賠償。

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