IT之家8月7日消息《彭博法律》和路透社報道，哈佛大學(xué)周一向德克薩斯州東區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院指控三星電子侵犯微處理器和內(nèi)存制造領(lǐng)域的兩項專利。

IT House從起訴書中稱，哈佛大學(xué)化學(xué)系教授Roy G. Gordon是這兩項專利的發(fā)明人，哈佛大學(xué)是這些專利的受讓人，哈佛大學(xué)對相應(yīng)專利擁有完全權(quán)利。我有。

與三星美國辦公設(shè)施相關(guān)的兩項專利分別涉及沉積含有鈷和鎢的薄膜的方法：“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”和“氮化鎢的氣相沉積”。標(biāo)題為。哈佛大學(xué)表示，“此類薄膜對于許多產(chǎn)品的關(guān)鍵部件至關(guān)重要，包括計算機(jī)和手機(jī)”。

哈佛大學(xué)認(rèn)為，三星電子侵犯了哈佛大學(xué)關(guān)于在高通Snapdragon 8 Gen 1 處理器等OEM 制造過程中制造氮化鈷薄膜的專利，該專利涉及三星S22 智能手機(jī)等產(chǎn)品。

當(dāng)三星制造LPDDR5X 和其他存儲器時，三星的Galaxy Z Flip5 可折疊手機(jī)使用了哈佛大學(xué)鎢層沉積專利相關(guān)LPDDR5X 存儲器產(chǎn)品的至少一項權(quán)利要求的所有元素。

在起訴書中，哈佛大學(xué)要求三星電子停止侵權(quán)活動并支付未具體說明的金錢賠償。

版權(quán)聲明：本文轉(zhuǎn)載于今日頭條，版權(quán)歸作者所有。如有侵權(quán)，請聯(lián)系本站編輯刪除。